科技部產學大聯盟半導體研發大突破,臺大與台積電共同投入的超3奈米前瞻半導體技術研發,在新穎材料分項部分,與麻省理工學院(MIT)合作研究共同發表,首度提出利用「半金屬鉍(Bi)」作為二維材料的接觸電極,大幅降低電阻並提高電流,突破了二維材料原本的缺陷,使其效能幾與矽一致,有助實現未來1奈米以下、原子級電晶體願景,本項研究成果獲得刊登於國際頂尖學術期刊《Nature》的殊榮。
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科技部產學大聯盟半導體研發大突破,臺大與台積電共同投入的超3奈米前瞻半導體技術研發,在新穎材料分項部分,與麻省理工學院(MIT)合作研究共同發表,首度提出利用「半金屬鉍(Bi)」作為二維材料的接觸電極,大幅降低電阻並提高電流,突破了二維材料原本的缺陷,使其效能幾與矽一致,有助實現未來1奈米以下、原子級電晶體願景,本項研究成果獲得刊登於國際頂尖學術期刊《Nature》的殊榮。
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